#GalliumNitride

[govindhtech]

ASUS ROG Thor III Power Supply Series With Next-Gen GaN

Taking the power efficiency of personal computer gaming to new heights while maintaining a cool head under pressure.

The Thor III line of power supplies, which comprises the ROG Thor 1600W Titanium III, ROG Thor 1200W Platinum III, and ROG Thor 1000W Platinum III, was unveiled today by ASUS Republic of Gamers (ROG). An ROG Thor III power supply is a great foundation for your next gaming setup because it has features like gallium nitride (GaN) MOSFETs, GPU-FIRST voltage detection, high-performance copper pins, PCIe connection updates, magnetic OLED display detachment, etched modular cables, ATX 3.1 support, and more. Because ASUS is so confident in this, these PSUs come with a 10-year warranty, ensuring users will have amazing, long-lasting performance.

ROG Thor III Series: next-gen premium PSU components

Compared to conventional MOSFETs, the GaN MOSFETs in the ROG Thor III series can provide up to 30% higher power efficiency. Because these MOSFETs are smaller and provide the same performance, Thor III PSUs have an internal configuration that is tailored to keep units cool regardless of the load.

Additionally, the new ASUS GPU-FIRST voltage-sensing technology is included in these PSUs, enabling devices to sense voltage using the GPU rather than the CPU. As a GPUs requirements change, power delivery may be adjusted more quickly, resulting in stable, peak performance. When compared to a PSU without this feature, the intelligent voltage stabilizer improves voltage delivery by up to 45%.

These PSUs also have a Turbo Mode that maximizes the performance of the high-end parts of the ROG Thor III Series and use a particular fan curve to maintain peak load for extended periods of time.

The Thor III Series makes it simple for consumers to keep an eye on the PSU’s power consumption in real time. To suit PSU installation preferences, each PSU has a detachable magnetic OLED display that can be switched to either side of the unit. This allows the display to remain visible whether the fan is installed with the fan pointing up or down.

Optimized construction for optimal performance

With 80 PLUS Platinum certification for the 1200-watt and 1000-watt models and 80 PLUS Titanium certification for the 1600-watt model, ROG Thor III PSUs have all the features that consumers have come to expect from premium ROG power supplies. Users can anticipate the highest level of efficient power transmission because of their low-ESR capacitors.

Superior cooling is ensured by ROG heatsinks and completely aluminum enclosures, which control the unit’s thermals. Additionally, these PSUs use multiple ball bearings on the fan for increased lifetime. These bearings have a lifespan of up to 80,000 hours, which is double that of sleeve bearing designs.

In order to keep things neat, Thor III PSUs also have ROG etched modular cables, which let do-it-yourself PC builders to assemble their setups using just the cords they require.

Another significant advantage is that the 1600-watt model has Cybenetics Lambda A+ noise & Titanium certification, which means it runs incredibly silently, making it ideal for people who want to create a desktop computer that is both powerful and silent.

Power delivery you can rely on

When building a cutting-edge gaming PC with the best components available, consumers must safeguard their investment with a high-end power supply that will securely power their system. The ROG Thor III series is prepared for those who are overclocking enthusiasts with high power requirements or who are cautious gamers seeking a PSU that can support upgrades for many years to come. These units can handle any task because of their superior design, silent operation, and unparalleled power delivery.

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[electronicsbuzz]

https://electronicsbuzz.in/renesas-completes-acquisition-of-transphorm/

[electronicconference]

Wide Bandgap (WBG) Semiconductors

More information: https://www.blogger.com/blog/post/edit/7484431261636362440/5238530667432473732

Visit : https://electronicmaterialsconference.com/

[shubhampawrainfinium]

"IGBT'er og MOSFET'er: Powering the Future eller Just Overhyped Silicon?"

Introduktion

Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT'er) og Metal Oxide Field Effect Transistors (MOSFET'er) er centrale komponenter i moderne elektroniske systemer og strømsystemer. IGBT'er kombinerer egenskaberne fra både MOSFET'er og bipolære junction transistorer (BJT'er), hvilket giver høj effektivitet og hurtige koblingsmuligheder, som er afgørende for applikationer som motordrev, induktionsopvarmning og strøminvertere. MOSFET'er er på den anden side afgørende i laveffekt- og højhastighedsapplikationer, herunder forbrugerelektronik, bilsystemer og industrielle kontroller. Denne rapport giver en detaljeret analyse af markedsdynamikken, regionale tendenser, segmentering, konkurrencelandskab og fremtidsudsigter for IGBT'er og MOSFET'er.

Markedsdynamik

Chauffører

Teknologiske fremskridt: Kontinuerlig innovation inden for halvlederteknologi har ført til udviklingen af højtydende IGBT'er og MOSFET'er med forbedret effektivitet, hurtigere koblingshastigheder og højere effekthåndteringsevner. Dette fremskridt driver deres indførelse på tværs af forskellige sektorer.

Stigende efterspørgsel efter energieffektivitet: Stigende fokus på energieffektivitet i industrielle processer og forbrugerelektronik øger efterspørgslen efter IGBT'er og MOSFET'er. Disse komponenter er integreret i strømstyringssystemer, der forbedrer energibesparelse og ydeevne.

Udvidelse af bil- og industriapplikationer: Stigningen i elektriske køretøjer (EV'er) og industriel automatisering driver efterspørgslen efter IGBT'er og MOSFET'er. IGBT'er er afgørende for højspændings- og højstrømsapplikationer i elbiler, mens MOSFET'er bruges i en bred vifte af elektroniske bil- og industrisystemer.

Udfordringer

Høje produktionsomkostninger: Produktionen af avancerede IGBT'er og MOSFET'er involverer komplekse og dyre fremstillingsprocesser. Høje anlægsudgifter til udstyr og materialeomkostninger kan påvirke de samlede omkostninger ved disse komponenter.

Forsyningskædeforstyrrelser: Halvlederindustrien har oplevet periodiske forstyrrelser i forsyningskæden, hvilket påvirker tilgængeligheden af råmaterialer og komponenter. Dette kan føre til forsinkelser og øgede omkostninger for IGBT- og MOSFET-producenter.

Konkurrence fra alternative teknologier: Nye teknologier såsom siliciumcarbid (SiC) og galliumnitrid (GaN) tilbyder højere ydeevne i visse applikationer sammenlignet med traditionelle IGBT'er og MOSFET'er. Vedtagelsen af disse alternativer udgør en konkurrencemæssig udfordring.

Muligheder

Nye applikationer: Integrationen af IGBT'er og MOSFET'er i nye applikationer såsom vedvarende energisystemer, smarte net og avanceret forbrugerelektronik giver betydelige vækstmuligheder.

Fremskridt inden for halvledermaterialer: Udviklingen af nye halvledermaterialer, såsom SiC og GaN, kan forbedre ydeevnen af IGBT'er og MOSFET'er og skabe muligheder for innovation og markedsudvidelse.

Øget fokus på bilelektrificering: Den voksende anvendelse af elektriske og hybride køretøjer driver efterspørgslen efter højeffektive effekthalvledere, herunder IGBT'er og MOSFET'er, i bilstrømstyringssystemer.

Eksempelsider af rapport: https://www.infiniumglobalresearch.com/reports/sample-request/699

Regional analyse

Nordamerika: Det nordamerikanske marked er drevet af teknologiske fremskridt og høje adoptionsrater i bil- og industrisektorer. Tilstedeværelsen af førende halvledervirksomheder og stigende investeringer i EV-teknologi understøtter markedsvækst.

Europa: Europa er vidne til betydelig vækst på grund af strenge regler for energieffektivitet og miljøstandarder. Bilindustriens skift i retning af elektrificering og øget fokus på vedvarende energi driver efterspørgslen efter IGBT'er og MOSFET'er.

Asien-Stillehavsområdet: Asien-Stillehavsområdet, ledet af lande som Kina, Japan og Sydkorea, er det største marked for IGBT'er og MOSFET'er. Hurtig industrialisering, højt elektronikforbrug og stærke produktionskapaciteter giver næring til markedsudvidelsen.

Latinamerika: Markedet i Latinamerika vokser i takt med, at industrier moderniserer og tager nye teknologier i brug. Investering i infrastruktur og øget bilproduktion bidrager til efterspørgslen efter krafthalvledere.

Mellemøsten og Afrika: Markedet ekspanderer på grund af stigende industrielle aktiviteter og udvikling af infrastruktur. Investering i energieffektive teknologier og modernisering af elsystemer driver vedtagelsen af IGBT'er og MOSFET'er.

Markedssegmentering

Efter Produkttype:

Bipolære transistorer med isoleret port (IGBT'er)

Metaloxidfelteffekttransistorer (MOSFET'er)

Efter ansøgning:

Automotive (EV'er og hybridbiler)

Industrial Automation

Forbrugerelektronik

Power Electronics

Vedvarende energisystemer

Efter slutbruger:

Automotive Industry

Industrisektoren

Elektronik og forbrugsvarer

Energisektoren

Konkurrencedygtigt landskab

Markedsandel for store spillere: Store aktører som Infineon Technologies, Mitsubishi Electric og Texas Instruments dominerer IGBT- og MOSFET-markederne på grund af deres omfattende produktporteføljer, teknologiske ekspertise og globale distributionsnetværk.

Priskontrol: Store aktører har en vis kontrol over prisfastsættelsen på grund af deres markedstilstedeværelse og stordriftsfordele. Konkurrence og fluktuerende råvareomkostninger påvirker dog prisstrategierne.

Konkurrence fra små og mellemstore virksomheder: Små og mellemstore virksomheder udfordrer store aktører ved at fokusere på nichemarkeder, tilbyde specialiserede produkter og innovere inden for halvledermaterialer og -teknologier.

Nøglespillere:

Infineon teknologier

Mitsubishi Electric

Texas Instruments

ON Semiconductor

STMicroelectronics

Rapportoversigt: https://www.infiniumglobalresearch.com/reports/global-insulated-gate-bipolar-transistors-and-metal-oxide-field-effect-transistor-market

Future Outlook

Ny produktudvikling: Kontinuerlig innovation inden for IGBT- og MOSFET-teknologier er afgørende for, at virksomheder kan bevare konkurrenceevnen. Nye produktudviklinger, herunder fremskridt inden for halvledermaterialer og forbedrede ydeevneegenskaber, driver markedsvæksten.

Bæredygtighedstendenser: Bæredygtige produkter vinder indpas blandt forbrugere og virksomheder. IGBT'er og MOSFET'er, der tilbyder energieffektivitet og reduceret miljøpåvirkning, stemmer overens med bæredygtighedsmålene, hvilket øger deres appel på markedet.

Konklusion

Markedet for IGBT'er og MOSFET'er er sat til robust vækst, drevet af teknologiske fremskridt, stigende efterspørgsel efter energieffektivitet og ekspanderende applikationer i bil- og industrisektorer. Mens der eksisterer udfordringer såsom høje produktionsomkostninger og konkurrence fra alternative teknologier, tilbyder muligheder i nye applikationer og nye halvledermaterialer et betydeligt potentiale. Virksomheder, der fokuserer på innovation og bæredygtighed, er godt positioneret til at udnytte den udviklende markedsdynamik og bevare en konkurrencefordel.

[blog-for-communications]

Fraunhofer IAF

Die verschiedenen Farbnuancen der AlYN/GaN-Wafer resultieren aus unterschiedlichen Yttrium-Konzentrationen sowie Wachstumsbedingungen.

Neues Halbleitermaterial AlYN verspricht energieeffizientere und leistungsfähigere Elektronik

Freiburg, 14.08.2024. Forschende des Fraunhofer IAF haben einen Durchbruch im Bereich der Halbleitermaterialien erzielt: Mit Aluminiumyttriumnitrid (AlYN) ist es ihnen gelungen, ein neues und vielversprechendes Halbleitermaterial mit dem MOCVD-Verfahren herzustellen und zu charakterisieren. Aufgrund seiner hervorragenden Materialeigenschaften und seiner Anpassungsfähigkeit an Galliumnitrid (GaN) besitzt AlYN ein enormes Potenzial für den Einsatz in energieeffizienter Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik für Informations- und Kommunikationstechnologien.

Aufgrund seiner hervorragenden Materialeigenschaften hat Aluminiumyttriumnitrid (AlYN) das Interesse verschiedener Forschungsgruppen weltweit geweckt. Das Wachstum des Materials stellte bisher jedoch eine große Herausforderung dar. Bislang ist es nur gelungen, AlYN mit dem Magnetron-Sputter-Verfahren abzuscheiden. Nun haben Forschende des Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF es geschafft, das neue Material mithilfe der MOCVD-Technologie (metallorganische chemische Gasphasenabscheidung) herzustellen und damit die Erschließung neuer, vielfältiger Anwendungen zu ermöglichen.

»Unsere Forschung markiert einen Meilenstein in der Entwicklung neuer Halbleiterstrukturen. AlYN ist ein Material, das eine Leistungssteigerung bei gleichzeitiger Minimierung des Energieverbrauchs ermöglicht und damit den Weg für Innovationen in der Elektronik ebnen kann, die unsere digital vernetzte Gesellschaft und die stetig steigenden Anforderungen an Technologien dringend benötigen«, sagt Dr. Stefano Leone, Wissenschaftler am Fraunhofer IAF im Bereich Epitaxie. Aufgrund seiner vielversprechenden Materialeigenschaften kann AlYN zu einem Schlüsselmaterial für zukünftige technologische Innovationen werden.

Jüngste Forschungen hatten bereits die Materialeigenschaften von AlYN wie Ferroelektrizität nachgewiesen. Die Forschenden am Fraunhofer IAF konzentrierten sich bei der Entwicklung des neuen Verbindungshalbleiters vor allem auf dessen Anpassungsfähigkeit an Galliumnitrid (GaN): Die Gitterstruktur von AlYN lässt sich optimal an GaN anpassen und die AlYN/GaN-Heterostruktur verspricht wesentliche Vorteile für die Entwicklung zukunftsweisender Elektronik.

Von der Schicht zur Heterostruktur

2023 hat die Forschungsgruppe am Fraunhofer IAF bereits bahnbrechende Ergebnisse erzielt, als es ihnen erstmals gelang, eine 600 nm dicke AlYN-Schicht abzuscheiden. Die Schicht mit Wurtzit-Struktur enthielt eine bis dato unerreichte Yttrium-Konzentration von über 30 Prozent. Nun haben die Forschenden einen weiteren Durchbruch erzielt: Sie haben AlYN/GaN-Heterostrukturen mit präzise einstellbarer Yttrium-Konzentration hergestellt, die sich durch hervorragende strukturelle Qualität und elektrische Eigenschaften auszeichnen. Die neuartigen Heterostrukturen verfügen über eine Yttrium-Konzentration von bis zu 16 Prozent. Unter der Leitung von Dr. Lutz Kirste führt die Gruppe für Strukturanalyse weitere detaillierte Analysen durch, um das Verständnis der strukturellen und chemischen Eigenschaften von AlYN zu vertiefen.

Die Fraunhofer-Forschenden konnten bereits äußerst vielversprechende und für den Einsatz in elektronischen Bauteilen interessante elektrische Eigenschaften von AlYN messen. »Wir konnten beeindruckende Werte für den Schichtwiderstand, die Elektronendichte und die Elektronenbeweglichkeit beobachten. Diese Ergebnisse haben uns das Potenzial von AlYN für die Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik vor Augen geführt«, berichtet Leone.

AlYN/GaN-Heterostrukturen für Hochfrequenzanwendungen

Dank seiner Wurtzit-Kristallstruktur lässt sich AlYN bei geeigneter Zusammensetzung sehr gut an die Wurtzit-Struktur von Galliumnitrid anpassen. Eine AlYN/GaN-Heterostruktur verspricht die Entwicklung von Halbleiterbauelementen mit verbesserter Leistung und Zuverlässigkeit. Zudem besitzt AlYN die Fähigkeit zur Induktion eines zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) in Heterostrukturen. Neueste Forschungsergebnisse des Fraunhofer IAF zeigen optimale 2DEG-Eigenschaften in AlYN/GaN-Heterostrukturen bei einer Yttrium-Konzentration von etwa 8 Prozent.

Die Ergebnisse aus der Materialcharakterisierung zeigen auch, dass AlYN in Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs) eingesetzt werden kann. Die Forschenden konnten einen signifikanten Anstieg der Elektronenbeweglichkeit bei niedrigen Temperaturen beobachten (mehr als 3000 cm²/Vs bei 7 K). Das Team hat bereits bedeutende Fortschritte bei der Demonstration der epitaktischen Heterostruktur erzielt, die für die Herstellung erforderlich ist, und erforscht den neuen Halbleiter weiter im Hinblick auf die Herstellung von HEMTs.

Auch für die industrielle Nutzung können die Forschenden eine positive Prognose wagen: Bei AlYN/GaN-Heterostrukturen, die auf 4-Zoll-SiC-Substraten gewachsen sind, konnten sie eine Skalierbarkeit und strukturelle Gleichmäßigkeit der Heterostrukturen demonstrieren. Die erfolgreiche Herstellung von AlYN-Schichten in einem kommerziellen MOCVD-Reaktor ermöglicht die Skalierung auf größere Substrate in größeren MOCVD-Reaktoren. Diese Methode gilt als die produktivste für die Herstellung großflächiger Halbleiterstrukturen und unterstreicht das Potenzial von AlYN für die Großserienfertigung von Halbleiterbauelementen.

Entwicklung von nichtflüchtigen Speichern

Aufgrund seiner ferroelektrischen Eigenschaften eignet sich AlYN in hohem Maße für die Entwicklung nichtflüchtiger Speicheranwendungen. Ein weiterer wichtiger Vorteil ist, dass das Material keine Begrenzung der Schichtdicke aufweist. Daher regt das Forschungsteam am Fraunhofer IAF an, die Eigenschaften von AlYN-Schichten für nichtflüchtige Speicher weiter zu erforschen, da AlYN-basierte Speicher nachhaltige und energieeffiziente Datenspeicherlösungen vorantreiben können. Dies ist besonders relevant für Rechenzentren, die zur Bewältigung des exponentiellen Anstiegs der Rechenkapazität für künstliche Intelligenz eingesetzt werden und einen deutlich höheren Energieverbrauch aufweisen.

Oxidation als Herausforderung

Eine wesentliche Hürde für die industrielle Nutzung von AlYN ist seine Oxidationsanfälligkeit, die die Eignung des Materials für bestimmte elektronische Anwendungen beeinträchtigen. »In Zukunft wird es wichtig sein, Strategien zur Minderung oder Überwindung der Oxidation zu erforschen. Dazu könnten die Entwicklung hochreiner Vorläuferstoffe, die Anwendung von Schutzbeschichtungen oder innovative Herstellungstechniken beitragen. Die Oxidationsanfälligkeit von AlYN stellt eine große Herausforderung für die Forschung dar, um sicherzustellen, dass die Forschungsanstrengungen auf die Bereiche mit den größten Erfolgsaussichten konzentriert werden«, folgert Leone.

Originalpublikation:

S. Leone et al. “Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Aluminum Yttrium Nitride”, Phys. Status Solidi RRL 17 2300091 (2023) https://doi.org/10.1002/pssr.202300091

I. Streicher et al. “Two-dimensional electron gases in AlYN/GaN heterostructures grown by metal–organic chemical vapor deposition”, APL Materials 12 051109 (2024) https://doi.org/10.1063/5.0203156

[djbrahmin]

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[actron]

AnkerのPowerPort Atom III Slim、すごく小さい。Zippoみたい。この小ささで30W出力。 #Anker #charger #USBcharger #wallcharger #GaN #GalliumNitride https://www.instagram.com/p/B2GqjFygIUv/?igshid=1uutruobd8j7e

[famousobservationbouquetme]

Gallium Nitride Market 2018: Key Players, Development and Opportunities by Forecast to 2023

Market Overview

Gallium Nitride is majorly used in the production of semiconductors, LEDs, and RF devices. GaN is widely accepted as green technology across most of the industries due to the properties such as high thermal stability, low power consumption, temperature resistance, and high voltage breakdown. Additionally, the GaN devices are smaller in sizes and lighter in weight, which further drives the market growth. The unique properties of GaN and its low cost over silicon have been the major driver of the global market and is expected to continue growing in the near future.

The major applications of GaN devices in the end-user industries such as automotive, consumer electronics, defense and aerospace, and others are the drivers of the market growth. However, the demand for the lightweight automotive with improved efficiency consumes a significant amount of GaN. Furthermore, the consumer electronics industries favor the market growth due to the increased use of GaN in smartphones, laptops, television, and others. GaN LEDs are a threat to conventional lights owing to their power efficiency, energy consumption, luminosity coupled with environmental concerns. However, limited availability of gallium nitride may hinder the market growth during the review period 2017-2023.

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Market Segmentation

The Global Gallium Nitride Market is segmented into Type, End-Use Industry and Region.

Based on the Type, the GaN market is divided into p-type and n-type. Among these two types, n-type is projected to lead the market on account of easy availability and cheap cost. However, p-type GaN is going through patent processes undertaken by many leading players and is not being fully commercialized as of 2016. Therefore, p-type gallium nitride is holding the least share in the global gallium nitride market.

The End-User Industries of Gallium Nitride are segregated into automotive, consumer electronics, defense and aerospace, healthcare, industrial & power, and others. The automotive industry is the leading segment due to the excessive use of Gallium Nitride in electric vehicles, locomotives, and traffic signals. According to Statista, the global passenger car production was estimated to hit 78.6 million units in 2017. This trend is going to persist in coming years and is expected to fuel the market growth during the forecast period.

Regional Analysis

The Global Gallium Nitride Market is segmented into five major regions: Asia Pacific, North America, Europe, Latin America, and the Middle East & Africa. The Asia Pacific is expected to witness a healthy market growth during the forecast period due to the availability of raw materials and the increasing demand for consumer electronics. North America and Europe are the leading contributors to the gallium nitride market. Countries like the U.S., Canada, and Mexico contribute due to the increased standards of lifestyles. With growing technological advances in defense, military and space science, North America and Europe are expected to be the major contributor to the market growth in coming years.

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About Market Research Future: At Market Research Future (MRFR), we enable our customers to unravel the complexity of various industries through our Cooked Research Report (CRR), Half-Cooked Research Reports (HCRR), Raw Research Reports (3R), Continuous-Feed Research (CFR), and Market Research & Consulting Services.

MRFR team have supreme objective to provide the optimum quality market research and intelligence services to our clients. Our market research studies by Components, Application, Logistics and market players for global, regional, and country level market segments, enable our clients to see more, know more, and do more, which help to answer all their most important questions.

Contact: Market Research Future +1 646 845 9312 Email: sales@marketresearchfuture.com

[theenergyimperative2017]

Which is better? SiC or GaN?

BY ALIX PAULTRE

It is all well and good to point out that wide-bandgap materials like silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) are superior performers to legacy silicon, but what does that really mean to the designer? What application spaces can best benefit from the next generation of semiconductors? There is a difference between frequency-oriented applications like RF and LiDAR and energy-oriented applications like power electronics; wide-bandgap devices, properly chosen, can serve both well.

Speed or robustness? A good rule of thumb to use is that SiC is rugged, and GaN is fast. Before silicon carbide was produced in high-purity single-crystal ingots for electronics, its primary application was as a grit abrasive (often called Carborundum) and is still sold as the artificial diamond Moissanite. Add that to its high thermal conductivity and very low coefficient of thermal expansion and it is easy to see why SiC is well suited for high-voltage demanding applications like solar and hybrid vehicle inverters.

Gallium nitride, on the other hand, is known for its high switching capability due to its nature as a piezoelectric semiconductor. GaN’s piezoelectricity isn’t motion-related, however, as it is manifested in a quasi-semiconducting stress layer between the doped layers of the device. This novel property gives GaN its high electron mobility as well as its high switching speed. That’s why GaN is often the go-to product today for advanced RF and LiDAR systems in automotive and robotic vision as well as in wireless communications.

These new materials and their advanced properties are opening up opportunities across the industry. As Chris Dries, President and CEO of United Silicon Carbide explains, “Our selling strategy is taking place on a couple of threads, the superjunction market that we can compete with at 650V, the IGBT market, where we can just drop a solution into, and there are also people completely redesigning around SiC MOSFET solutions, that require minus five to plus 20V gate drive, and our cascodes work beautifully in those applications too.”

Changing places The important thing to remember is that this is only a rough guideline. For example, GaN has been used in some high-power applications challenging both SiC and silicon. A recent exhibit at PCIM showed a GaN-based 7kW electric vehicle battery charger using devices from GaN Systems that delivered a power density of over 4kW/liter (image). There is also the growing world of GaN-on-SiC transistors, leveraging the advantages of each material to create devices that can address extremely demanding applications like advanced radar systems.

There are many ways to exploit the advantages of wide-bandgap semiconductors, and proper device selection (as always) will ensure your design will operate at its optimum.

[hypesrus]

Anker: Neue GaNPrime Charging Devices

Erst kürzlich habe ich am eigenen Leib erlebt, wie hilfreich eine Powerbank oder ein mobiler Akku sein kann. Denn eigentlich benötige ich solche Gadgets gar nicht. Ich bin entweder im Büro, im Home-Office oder mit dem Auto unterwegs - überall dort kann ich meine Devices auf- oder nachladen. Darum hatte ich bisher immer nur ein Auge auf leistungsstarke Netzteile, mit denen ich nicht nur mein 14" MacBook Pro aufladen kann, sondern auch mein iPad Air und mein iPhone 13 Pro zu gleichen Zeit.

Anker stellt neue GaNPrime Netzteile und 140W Powerbank vor!

Vor etwa zwei Wochen war ich noch in unserem kleinen Häuschen in Zeeland, Niederlande, und habe von dort gearbeitet. Eigentlich stand an diesem Tag nichts Großes mehr an und da auch meine Kinder bei mir waren, habe ich meinem iPhone und seinem Ladestand kein größeres Interesse mehr geschenkt. Immerhin waren wir alle zusammen und zu arbeiten gab es auch nix mehr. Als dann aber mein Telefon am Strand doch noch klingelte und sich dieser Anruf als sehr wichtig herausstellte, hatte mein Telefon noch etwa 10% Strom. Da stand ich nun bei etwa 30 Grad im Schatten und mit einem fast leeren Gerät in der Hand, immer mit einem ägnstlichen Blick auf die Ladestandsanzeige. Bis meine Tochter plötzlich eine kleine pinke Powerbank mit kurzem Ligtning-Kabel aus ihrem Rucksack zog, die wir ihr vor einigen Wochen erst gegeben hatten, um auch in der Schule immer etwas Strom zu haben - für den Notfall. Das Ding ist locker mindestens 5 Jahre alt und wurde mir damals von der Firma Incase als Testmuster überreicht. Heute gibt es gar keine Geräte dieser Art mehr von Incase. So lange ist das her.

Da wir das kleine Gerät wenige Wochen zuvor erst ausprobiert und geladen hatten, hatte es auch noch genug Strom um mein Telefon während des Gesprächs am Leben zu halten und den Akku danach noch auf knapp 40% zu pushen. Gott-sei-Dank. Denn hätte ich dort am Strand das Telefonat nicht in Ruhe zu Ende bringen können, wäre mir vielleicht eine der wenigen echten Chancen im Leben durch die Lappen gegangen. Übrigens habe ich mir bei meiner Tochter auch noch einen Block und einen Kugelschreiber geliehen. Keine Ahnung, wieso sie all das am Strand dabei hatte, aber am Ende des Tages war es ein Segen für mich. Aus diesem Grund war die nachfolgende Pressemitteilung unser Freunde von Anker besonders interessant für mich. Zum einen weil ein neues kleines 65W bzw. 120W Netzteil vorgestellt wurde, aber auch weil das Unternehmen nun "die Mutter aller Powerbanks" mit bis zu 140W Ausgabeleistung und neuer GaNPrime Lade-Technologie in den Handel bringen wird. Aber lest einfach selber,..

Hier die offizielle Pressemitteilung, gekürzt: Anker, die weltweite Nummer eins bei mobilen Ladelösungen, enthüllt eine neue Generation der Lade-Technologie: GaNPrime. Der innovative, auf Galliumnitrid basierende Ladestandard sorgt durch seine Bauform und das smarte Innenleben für mehr Leistungsfähigkeit bei weniger Energieverbrauch. Und all das bei erstaunlich kompakten Maßen. Jedes Aufladen spart durch die neue Technik viel Zeit, Platz im Gepäck und vor allem – aktuell wichtiger denn je – kostbare Strom-Ressourcen. Die Vorteile des GaNPrime-Standards von Anker Galliumnitrid – kurz GaN – ist ein Material, das vor allem in modernen Radarsystemen und Satelliten zum Einsatz kommt. Bereits im Jahr 2018 leistete Anker mit den ersten GaN-Ladegeräten hier Pionierarbeit, die leichter und kleiner waren als bisherige Silizium-Lösungen. Diese benötigen zum Beispiel mehr Platz zum Leiten von Spannungen. GaNPrime erweitert die Möglichkeiten beim Laden abermals: - Schneller und smarter: Die neue PowerIQ-4.0-Technologie erkennt automatisch die benötigte Energie pro Anschluss und passt die Ladeleistung zwischen den Geräten flexibel an. Das spart bis zu eine Stunde pro Aufladevorgang ein. - Sicherer: Die ActiveShield-2.0-Funktion überwacht die Temperaturen drei Millionen Mal am Tag und verhindert so ein Überhitzen zum Schutz des Stromkreislaufes und der aufzuladenden Geräte. - Schmaler: GaNPrime-Ladegeräte sind durch die innovative Technik besonders kompakt. So ist das Anker 735 65-Watt-Netzteil im Vergleich zu anderen Laptop-Ladegeräten um bis zu 53 Prozent kleiner. - Die Vorteile von GaNPrime lassen sich nicht nur auf der Uhr und bei mehr Platz in der Reisetasche mit bloßem Auge erkennen, sondern auch beim Blick auf den Stromzähler und damit verbunden im Geldbeutel: Die Ingenieure von Anker haben die Übertragung von AC (Wechselstrom) zu DC (Gleichstrom) erheblich verbessert. Das spart NutzerInnen bei jedem Ladevorgang kostbare Energie ein. Wenn zum Beispiel jede EinwohnerIn in den USA ein Jahr lang ein GaNPrime-Gerät verwenden würde, könnte man 796 Millionen an Kilowattstunden einsparen. Das Entspricht dem Energiebedarf des US-Bundestaats Hawaii für einen ganzen Monat!

GaNPrime: Verfügbarkeit in Deutschland Zum Start der GaNPrime-Generation sind ab sofort zwei Netzteile auf der Webseite von Anker und auf Amazon.de bestellbar:  Das Anker 735 hat zwei USB-C- und einen USB-A-Anschluss mit einer Gesamtleistung von 65 Watt (obere Abbildung). Das smarte Netzteil ist in zwei Farben erhältlich – zunächst Schwarz, später Roségold – und kostet 59,99 Euro. Mit der Farbe Schwarz, aber mit deutlich mehr Leistung kommt das Anker 737 (untere Abbildung) auf den Markt: Mit bis zu 120 Watt versorgt das Ladegerät auch energiehungrige Tech-Gadgets mit seinen zwei USB-C-Anschlüssen mit reichlich Strom. Ein USB-A-Port macht das Netzteil zum Universalwerkzeug für alle Geräte. Zum Start kostet das Netzteil 94,99 Euro. Das GaNPrime-Ökosystem wird gleich zu Beginn um zwei spannende Neuheiten erweitert: Die Anker 737 Powerbank (149,99 Euro) kommt auf eine Kapazität von 24.000 Milliamperestunden und lädt Geräte unterwegs mit bis zu 140 Watt. Auch hier kommt der intelligente Auflade-Algorithmus von PowerIQ 4.0 zum Einsatz – die Powerbank mit smarten LED-Display erkennt den Energiebedarf und passt ihn pro Anschluss dynamisch an. Damit die hohen Watt-Pferdestärken wirklich ankommen, ist ein geeignetes USB-Kabel nötig: Das neue Anker 765 USB-C-Kabel (ab 29,99 Euro) ermöglicht eine maximale Ausgangsleistung von 140 Watt. Durch seine spezielle Bauart mit robuster Kabel-Ummantelung hält es über 35.000 Biegungen problemlos und damit jeder Herausforderung stand.

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